
货期:国内(1~3工作日)
起订量:4000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 4000 | ¥0.848933 | ¥3395.73 |
| 8000 | ¥0.797482 | ¥6379.86 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.8 A
漏源电阻 26 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12.7 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 5 S
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 145 ns
典型接通延迟时间 32 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0SSM6J216FE,LF
型号:SSM6J216FE,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 4000+: | ¥0.848933 |
| 8000+: | ¥0.797482 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00