SIZ926DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ926DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥7.576856 | ￥22730.57 |
| 6000 | ￥6.888051 | ￥41328.31 |
| 15000 | ￥6.570141 | ￥98552.11 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 40 A, 60 A
漏源电阻 2.2 mOhms, 4.8 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 12.5 nC, 27 nC
耗散功率 20.2 W, 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 40 S, 55 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 17 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 337.318 mg
SIZ926DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZ926DT-T1-GE3
型号：SIZ926DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥7.576856 |
| 6000+： | ￥6.888051 |
| 15000+： | ￥6.570141 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00