货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥26.435147 | ¥26.44 |
1000 | ¥13.981368 | ¥13981.37 |
2000 | ¥13.282286 | ¥26564.57 |
5000 | ¥12.78296 | ¥63914.80 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 5.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 230 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 98 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB100N06S2L-05 SP001067944
单位重量 4 g
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0IPB100N06S2L05ATMA2
型号:IPB100N06S2L05ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥26.435147 |
1000+: | ¥13.981368 |
2000+: | ¥13.282286 |
5000+: | ¥12.78296 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥26.44