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SIHP22N60AEL-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIHP22N60AEL-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CHAN 600V
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 21 A

漏源电阻 180 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 41 nC

耗散功率 208 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 28 ns

正向跨导(Min) 16 S

上升时间 24 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 86 ns

典型接通延迟时间 27 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 2 g

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SIHP22N60AEL-GE3

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型号:SIHP22N60AEL-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

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