货期:(7~10天)
起订量:104
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
104 | ¥1.596779 | ¥166.07 |
300 | ¥1.527366 | ¥458.21 |
500 | ¥1.458097 | ¥729.05 |
1000 | ¥1.388684 | ¥1388.68 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.8 A
漏源电阻 26 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12.7 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 5 S
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 145 ns
典型接通延迟时间 32 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0SSM6J216FE,LF
型号:SSM6J216FE,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
104+: | ¥1.596779 |
300+: | ¥1.527366 |
500+: | ¥1.458097 |
1000+: | ¥1.388684 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00