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制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 40 A, 60 A
漏源电阻 2.2 mOhms, 4.8 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 12.5 nC, 27 nC
耗散功率 20.2 W, 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 40 S, 55 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 17 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 337.318 mg
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0SIZ926DT-T1-GE3
型号:SIZ926DT-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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