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SIZ926DT-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIZ926DT-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
渠道:
digikey

库存 :1398

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 25 V

漏极电流 40 A, 60 A

漏源电阻 2.2 mOhms, 4.8 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 16 V

栅源极阈值电压 2.2 V

栅极电荷 12.5 nC, 27 nC

耗散功率 20.2 W, 40 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 8 ns

正向跨导(Min) 40 S, 55 S

上升时间 20 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 12 ns, 17 ns

典型接通延迟时间 8 ns, 10 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 337.318 mg

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型号:SIZ926DT-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

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