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SI4914BDY-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI4914BDY-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
渠道:
国内现货
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属性
参数值

制造商型号

SI4914BDY-T1-GE3

制造商

SILICONIX(威世)

商品描述

MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

包装

Tape & Reel (TR)

系列

LITTLE FOOT®

零件状态

Obsolete

FET 类型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 功能

Standard

漏源电压(Vdss)

30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

8.4A, 8A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

21mOhm @ 8A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

2.7V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

10.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

-

功率 - 最大值

2.7W, 3.1W

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/外壳

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供应商器件封装

8-SO

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型号:SI4914BDY-T1-GE3

品牌:SILICONIX

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