FDMD8900

制造商 onsemi

商标名 PowerTrench Power Clip

商标 onsemi / Fairchild

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 66 A, 42 A

漏源电阻 4 mOhms, 5.5 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 25 nC, 19 nC

耗散功率 27 W, 15 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 2.4 ns, 2.3 ns

正向跨导（Min） 86 S, 80 S

上升时间 2.3 ns, 2 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 25 ns, 22 ns

典型接通延迟时间 8.7 ns, 7.1 ns

高度 0.8 mm

长度 5 mm

宽度 3.3 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 82.320 mg