货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥332.655955 | ¥332.66 |
10 | ¥295.606243 | ¥2956.06 |
100 | ¥258.544166 | ¥25854.42 |
500 | ¥220.624355 | ¥110312.18 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 65 A
漏源电阻 45 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 429 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 24 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0UF3C120040K4S
型号:UF3C120040K4S
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
1+: | ¥332.655955 |
10+: | ¥295.606243 |
100+: | ¥258.544166 |
500+: | ¥220.624355 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥332.66