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SIZF916DT-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIZF916DT-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET N-CH DUAL 30V
渠道:
digikey

库存 :5250

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 19.275397 19.28
10 17.224297 172.24
25 16.34949 408.74
100 12.260882 1226.09
250 12.1435 3035.88
500 10.392157 5196.08
1000 8.465482 8465.48

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, NPN

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 40 A, 60 A

漏源电阻 12.7 mOhms, 6.58 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 16 V

栅源极阈值电压 1.1 V

栅极电荷 14.6 nC, 62 nC

耗散功率 26.6 W, 60 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 10 ns, 20 ns

正向跨导(Min) 53 S, 91 S

上升时间 45 ns, 60 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 20 ns, 45 ns

典型接通延迟时间 17 ns, 30 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 337.318 mg

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型号:SIZF916DT-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

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1+: ¥19.275397
10+: ¥17.224297
25+: ¥16.34949
100+: ¥12.260882
250+: ¥12.1435
500+: ¥10.392157
1000+: ¥8.465482

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