SIZF916DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZF916DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N-CH DUAL 30V
- 渠道：
- digikey
库存 ：5250
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥22.100697 | ￥22.10 |
| 10 | ￥19.748957 | ￥197.49 |
| 25 | ￥18.745924 | ￥468.65 |
| 100 | ￥14.058027 | ￥1405.80 |
| 250 | ￥13.923439 | ￥3480.86 |
| 500 | ￥11.915393 | ￥5957.70 |
| 1000 | ￥9.706314 | ￥9706.31 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, NPN
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A, 60 A
漏源电阻 12.7 mOhms, 6.58 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 14.6 nC, 62 nC
耗散功率 26.6 W, 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 20 ns
正向跨导（Min） 53 S, 91 S
上升时间 45 ns, 60 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 45 ns
典型接通延迟时间 17 ns, 30 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 337.318 mg
SIZF916DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZF916DT-T1-GE3
型号：SIZF916DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：5250 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥22.100697 |
| 10+： | ￥19.748957 |
| 25+： | ￥18.745924 |
| 100+： | ￥14.058027 |
| 250+： | ￥13.923439 |
| 500+： | ￥11.915393 |
| 1000+： | ￥9.706314 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥22.10