货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥292.069883 | ¥292.07 |
10 | ¥260.228168 | ¥2602.28 |
100 | ¥228.416214 | ¥22841.62 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 103 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 15 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4.3 V
栅极电荷 203 nC
耗散功率 535 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 28 S
上升时间 57 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0NTHL020N120SC1
型号:NTHL020N120SC1
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥292.069883 |
10+: | ¥260.228168 |
100+: | ¥228.416214 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥292.07