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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.5 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 3.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ4949EY-T1_BE3
单位重量 750 mg
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0SQ4949EY-T1_GE3
型号:SQ4949EY-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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