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SQ4949EY-T1_GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SQ4949EY-T1_GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC
渠道:
digikey

库存 :2820

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
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规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 7.5 A

漏源电阻 28 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 30 nC

耗散功率 3.3 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 8 ns

上升时间 9 ns

晶体管类型 2 P-Channel

典型关闭延迟时间 28 ns

典型接通延迟时间 7 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

零件号别名 SQ4949EY-T1_BE3

单位重量 750 mg

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型号:SQ4949EY-T1_GE3

品牌:SILICONIX

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