IXFB30N120P
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- 制造商编号：
- IXFB30N120P
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥678.483484 | ￥678.48 |
| 10 | ￥633.034015 | ￥6330.34 |
| 100 | ￥549.641041 | ￥54964.10 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 30 A
漏源电阻 350 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 6.5 V
栅极电荷 310 nC
耗散功率 1.25 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 56 ns
正向跨导（Min） 13 S
上升时间 60 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 95 ns
典型接通延迟时间 57 ns
外形参数
高度 26.59 mm
长度 20.29 mm
宽度 5.31 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Polar HiPerFET Power MOSFET
单位重量 1.600 g
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注
IXFB30N120P品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXFB30N120P
数据手册PDF。
IXFB30N120P
型号：IXFB30N120P
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥678.483484 |
| 10+： | ￥633.034015 |
| 100+： | ￥549.641041 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥678.48