STL7NM60N
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- 制造商编号：
- STL7NM60N
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 5.8A POWERFLAT
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.079745 | ￥11.08 |
| 25 | ￥10.518328 | ￥262.96 |
| 50 | ￥10.518328 | ￥525.92 |
| 100 | ￥10.204595 | ￥1020.46 |
| 250 | ￥10.204595 | ￥2551.15 |
| 500 | ￥9.428517 | ￥4714.26 |
| 1000 | ￥8.867099 | ￥8867.10 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL7NM60N
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 5.8A POWERFLAT
包装
Cut Tape (CT)
系列
MDmesh™ II
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
900mOhm @ 2.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
14nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
363pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
68W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
14-PowerFLAT™ (5x5)
封装/外壳
14-PowerVQFN
STL7NM60N 同类别型号
注
STL7NM60N品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
STL7NM60N
型号：STL7NM60N
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.079745 |
| 25+： | ￥10.518328 |
| 50+： | ￥10.518328 |
| 100+： | ￥10.204595 |
| 250+： | ￥10.204595 |
| 500+： | ￥9.428517 |
| 1000+： | ￥8.867099 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.08