IRFR210BTM_FP001
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- 制造商编号：
- IRFR210BTM_FP001
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥4.017758 | ￥10044.39 |
| 5000 | ￥3.696804 | ￥18484.02 |
| 7500 | ￥3.533267 | ￥26499.50 |
| 12500 | ￥3.349229 | ￥41865.36 |
| 17500 | ￥3.240153 | ￥56702.68 |
| 25000 | ￥3.212616 | ￥80315.40 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRFR210BTM_FP001
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.5Ohm @ 1.35A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
9.3nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
225pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 26W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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注
IRFR210BTM_FP001品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
IRFR210BTM_FP001
型号：IRFR210BTM_FP001
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥4.017758 |
| 5000+： | ￥3.696804 |
| 7500+： | ￥3.533267 |
| 12500+： | ￥3.349229 |
| 17500+： | ￥3.240153 |
| 25000+： | ￥3.212616 |
货期：7-10天
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