货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥601.872317 | ¥601.87 |
10 | ¥536.293339 | ¥5362.93 |
100 | ¥470.72549 | ¥47072.55 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 107 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 218 nC
耗散功率 517 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0UF3SC120016K3S
型号:UF3SC120016K3S
品牌:SiC
供货:锐单
单价:
1+: | ¥601.872317 |
10+: | ¥536.293339 |
100+: | ¥470.72549 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥601.87