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UF3SC120016K3S

SiC(碳化硅(SiC)功率半导体制造商)
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制造商编号:
UF3SC120016K3S
制造商:
SiC(碳化硅(SiC)功率半导体制造商)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
1200V 16 MOHM SIC STACKED CASCOD
渠道:
digikey

库存 :685

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 601.872317 601.87
10 536.293339 5362.93
100 470.72549 47072.55

规格参数

关键信息

制造商 UnitedSiC

商标名 SiC FET

商标 UnitedSiC

技术类参数

技术 SiC

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 1.2 kV

漏极电流 107 A

漏源电阻 21 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 218 nC

耗散功率 517 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 6 g

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UF3SC120016K3S

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型号:UF3SC120016K3S

品牌:SiC

供货:锐单

库存:685 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥601.872317
10+: ¥536.293339
100+: ¥470.72549

货期:7-10天

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