SPA11N60C3XKSA1
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- 制造商编号：
- SPA11N60C3XKSA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：170
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥46.199606 | ￥46.20 |
| 10 | ￥38.758734 | ￥387.59 |
| 100 | ￥31.353845 | ￥3135.38 |
| 500 | ￥27.870308 | ￥13935.15 |
| 1000 | ￥23.863896 | ￥23863.90 |
| 2000 | ￥22.470424 | ￥44940.85 |
| 5000 | ￥21.55809 | ￥107790.45 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SPA11N60C3XKSA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
包装
Tube
系列
CoolMOS™
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
380mOhm @ 7A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.9V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
60nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1200pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
33W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
PG-TO220-3-31 Full Pack
封装/外壳
TO-220-3 Full Pack
SPA11N60C3XKSA1 同类别型号
注
SPA11N60C3XKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SPA11N60C3XKSA1
数据手册PDF
。
SPA11N60C3XKSA1
型号：SPA11N60C3XKSA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：170 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥46.199606 |
| 10+： | ￥38.758734 |
| 100+： | ￥31.353845 |
| 500+： | ￥27.870308 |
| 1000+： | ￥23.863896 |
| 2000+： | ￥22.470424 |
| 5000+： | ￥21.55809 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥46.20