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SI5902BDC-T1-E3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI5902BDC-T1-E3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
渠道:
digikey

库存 :2710

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 15.866735 15.87
10 14.142632 141.43
100 11.028005 1102.80
500 9.110504 4555.25
1000 7.192504 7192.50

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 4 A

漏源电阻 65 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.5 V

栅极电荷 7 nC

耗散功率 3.12 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

外形参数

高度 1.1 mm

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI5902BDC-E3

单位重量 85 mg

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SI5902BDC-T1-E3

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型号:SI5902BDC-T1-E3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:2710 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥15.866735
10+: ¥14.142632
100+: ¥11.028005
500+: ¥9.110504
1000+: ¥7.192504

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