UF3SC120009K4S
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- 制造商编号：
- UF3SC120009K4S
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- 1200V 9 MOHM SIC STACKED CASCODE
- 渠道：
- digikey
库存 ：1134
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥767.829484 | ￥767.83 |
规格参数
关键信息
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 120 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 234 nC
耗散功率 789 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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注
UF3SC120009K4S品牌厂家：SiC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、UF3SC120009K4S
数据手册PDF。
UF3SC120009K4S
型号：UF3SC120009K4S
品牌：SiC
供货：锐单
库存：1134 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥767.829484 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥767.83