BSC0908NSATMA1
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- 制造商编号：
- BSC0908NSATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 34V 49A 8TDSON
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：17
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 17 | ￥11.827229 | ￥201.06 |
| 20 | ￥11.372164 | ￥227.44 |
| 50 | ￥10.917264 | ￥545.86 |
| 100 | ￥10.462529 | ￥1046.25 |
| 300 | ￥10.007464 | ￥3002.24 |
| 500 | ￥9.55273 | ￥4776.36 |
| 1000 | ￥9.09783 | ￥9097.83 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSC0908NSATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 34V 49A 8TDSON
包装
Digi-Reel®
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
34V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
14A (Ta), 49A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
14nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1220pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W (Ta), 30W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
BSC0908NSATMA1 同类别型号
注
BSC0908NSATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、BSC0908NSATMA1
数据手册PDF
。
BSC0908NSATMA1
型号：BSC0908NSATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 17+： | ￥11.827229 |
| 20+： | ￥11.372164 |
| 50+： | ￥10.917264 |
| 100+： | ￥10.462529 |
| 300+： | ￥10.007464 |
| 500+： | ￥9.55273 |
| 1000+： | ￥9.09783 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00