AON5802BL
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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
AON5802BL
制造商
AOS
商品描述
MOSFET N-CH DUAL 30V 6DFN
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7.2A (Tc)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
19mOhm @ 7A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1150pF @ 15V
功率 - 最大值
1.6W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
6-VFDFN Exposed Pad
供应商器件封装
6-DFN-EP (2x5)
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注
AON5802BL品牌厂家：AOS
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
AON5802BL
型号：AON5802BL
品牌：AOS
供货：锐单
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单价：
货期：1-2天
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