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数量 | 价格 | 总计 |
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5000 | ¥12.399517 | ¥61997.58 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 50 A, 50 A
漏源电阻 2.4 mOhms, 3.2 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 5.6 nC, 16 nC
耗散功率 2.5 W, 6.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.4 ns, 2.4 ns
正向跨导(Min) 47 S, 55 S
上升时间 4 ns, 4.7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 4.3 ns, 8 ns
典型接通延迟时间 4.3 ns, 5.1 ns
高度 1.15 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSG0810NDI SP001241674
单位重量 112.200 mg
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0BSG0810NDIATMA1
型号:BSG0810NDIATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
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5000+: | ¥12.399517 |
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