IAUT165N08S5N029ATMA1
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- 制造商编号：
- IAUT165N08S5N029ATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET_(75V 120V(
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥11.746121 | ￥23492.24 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IAUT165N08S5N029ATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET_(75V 120V(
包装
-
系列
OptiMOS™-5
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
165A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.9mOhm @ 80A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.8V @ 108µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
90nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
6370pF @ 40V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
167W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-HSOF-8-1
封装/外壳
8-PowerSFN
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注
IAUT165N08S5N029ATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
IAUT165N08S5N029ATMA1
型号：IAUT165N08S5N029ATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2000+： | ￥11.746121 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00