IRF1010NSTRR
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRF1010NSTRR
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.21875 | ￥4.22 |
| 10 | ￥3.078 | ￥30.78 |
| 30 | ￥2.86875 | ￥86.06 |
| 100 | ￥2.6595 | ￥265.95 |
| 500 | ￥2.565 | ￥1282.50 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRF1010NSTRR
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
85A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
11mOhm @ 43A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
120nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3210pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
180W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF1010NSTRR 同类别型号
注
IRF1010NSTRR品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购IRF1010NSTRR、查询IRF1010NSTRR代理商；
IRF1010NSTRR价格批发咨询客服；这里拥有
IRF1010NSTRR中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到IRF1010NSTRR
替代型号
、IRF1010NSTRR
数据手册PDF
。
IRF1010NSTRR
型号：IRF1010NSTRR
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.21875 |
| 10+： | ￥3.078 |
| 30+： | ￥2.86875 |
| 100+： | ￥2.6595 |
| 500+： | ￥2.565 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.22