PMFPB8032XP,115
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- PMFPB8032XP,115
- 制造商：
- Nexperia(安世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
- 渠道：
- digikey
库存 ：3257
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.933582 | ￥7.93 |
| 10 | ￥6.375201 | ￥63.75 |
| 25 | ￥5.831184 | ￥145.78 |
| 100 | ￥4.33797 | ￥433.80 |
| 500 | ￥3.253901 | ￥1626.95 |
| 1000 | ￥2.440426 | ￥2440.43 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
PMFPB8032XP,115
制造商
Nexperia(安世)
商品描述
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
102mOhm @ 2.7A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
8.6nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
550pF @ 10V
FET 功能
Schottky Diode (Isolated)
功率耗散（最大值）
485mW (Ta), 6.25W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
6-HUSON-EP (2x2)
封装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
PMFPB8032XP,115 同类别型号
注
PMFPB8032XP,115品牌厂家：Nexperia
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、PMFPB8032XP,115
数据手册PDF。
PMFPB8032XP,115
型号：PMFPB8032XP,115
品牌：Nexperia
供货：锐单
库存：3257 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.933582 |
| 10+： | ￥6.375201 |
| 25+： | ￥5.831184 |
| 100+： | ￥4.33797 |
| 500+： | ￥3.253901 |
| 1000+： | ￥2.440426 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.93