货期:国内(1~3工作日)
起订量:20
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
20 | ¥0.601344 | ¥12.03 |
100 | ¥0.505872 | ¥50.59 |
300 | ¥0.329184 | ¥98.76 |
800 | ¥0.27144 | ¥217.15 |
3000 | ¥0.179136 | ¥537.41 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 870 pC
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6.3 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 3.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 3.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN65D8LDW-7
型号:DMN65D8LDW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
20+: | ¥0.601344 |
100+: | ¥0.505872 |
300+: | ¥0.329184 |
800+: | ¥0.27144 |
3000+: | ¥0.179136 |
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