ZXMN6A25G
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- 制造商编号：
- ZXMN6A25G
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.429249 | ￥8.43 |
| 10 | ￥6.139655 | ￥61.40 |
| 30 | ￥5.723985 | ￥171.72 |
| 100 | ￥5.3015 | ￥530.15 |
| 500 | ￥5.117515 | ￥2558.76 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
ZXMN6A25G
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
50mOhm @ 3.6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
20.4nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1063pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
ZXMN6A25G 同类别型号
注
ZXMN6A25G品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、ZXMN6A25G
数据手册PDF。
ZXMN6A25G
型号：ZXMN6A25G
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.429249 |
| 10+： | ￥6.139655 |
| 30+： | ￥5.723985 |
| 100+： | ￥5.3015 |
| 500+： | ￥5.117515 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.43