SQ4282EY-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQ4282EY-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥3.279611 | ￥8199.03 |
| 5000 | ￥2.981465 | ￥14907.33 |
| 12500 | ￥2.843858 | ￥35548.22 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 12.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 47 nC
耗散功率 3.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ4282EY-T1_BE3
单位重量 750 mg
SQ4282EY-T1_GE3 同类别型号
注
SQ4282EY-T1_GE3
型号：SQ4282EY-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥3.279611 |
| 5000+： | ￥2.981465 |
| 12500+： | ￥2.843858 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00