货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥19.769638 | ¥19.77 |
10 | ¥17.817386 | ¥178.17 |
25 | ¥16.804193 | ¥420.10 |
100 | ¥13.10727 | ¥1310.73 |
250 | ¥12.771186 | ¥3192.80 |
500 | ¥11.090767 | ¥5545.38 |
1000 | ¥9.410347 | ¥9410.35 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 65 mOhms, 70 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7 nC, 40 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns, 40 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns, 100 ns
典型接通延迟时间 12 ns, 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
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0SH8M31GZETB
型号:SH8M31GZETB
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.769638 |
10+: | ¥17.817386 |
25+: | ¥16.804193 |
100+: | ¥13.10727 |
250+: | ¥12.771186 |
500+: | ¥11.090767 |
1000+: | ¥9.410347 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.77