SH8M31GZETB

制造商 ROHM Semiconductor

商标 ROHM Semiconductor

技术 Si

晶体管极性 N-Channel, P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 4.5 A

漏源电阻 65 mOhms, 70 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 7 nC, 40 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 13 ns, 40 ns

上升时间 18 ns

晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 40 ns, 100 ns

典型接通延迟时间 12 ns, 17 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 83 mg