GP1M010A080H
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- 制造商编号：
- GP1M010A080H
- 制造商：
- SEMIQ
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
GP1M010A080H
制造商
SEMIQ
商品描述
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
包装
Tube
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.05Ohm @ 4.75A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
53nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2336pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
290W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
GP1M010A080H 同类别型号
注
GP1M010A080H品牌厂家：SEMIQ
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、GP1M010A080H
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GP1M010A080H
型号：GP1M010A080H
品牌：SEMIQ
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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