货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥12.556262 | ¥10045.01 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 24 A
漏源电阻 125 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 181 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel SuperFET III MOSFET
典型关闭延迟时间 73 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FCP125N65S3
型号:FCP125N65S3
品牌:ON
供货:锐单
单价:
800+: | ¥12.556262 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00