DMN3190LDW-13
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMN3190LDW-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.645177 | ￥5.65 |
| 10 | ￥4.17743 | ￥41.77 |
| 100 | ￥2.363071 | ￥236.31 |
| 500 | ￥1.564843 | ￥782.42 |
| 1000 | ￥1.199713 | ￥1199.71 |
| 2000 | ￥1.043228 | ￥2086.46 |
| 5000 | ￥0.938906 | ￥4694.53 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.8 V
栅极电荷 2 nC
耗散功率 320 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15.6 ns
正向跨导（Min） 700 nS
上升时间 8.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 30.3 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
DMN3190LDW-13 同类别型号
注
DMN3190LDW-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMN3190LDW-13
数据手册PDF
。
DMN3190LDW-13
型号：DMN3190LDW-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.645177 |
| 10+： | ￥4.17743 |
| 100+： | ￥2.363071 |
| 500+： | ￥1.564843 |
| 1000+： | ￥1.199713 |
| 2000+： | ￥1.043228 |
| 5000+： | ￥0.938906 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.65