NVMFD6H840NLT1G
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥37.432565 | ￥37.43 |
| 10 | ￥31.137089 | ￥311.37 |
| 100 | ￥24.780643 | ￥2478.06 |
| 500 | ￥20.96876 | ￥10484.38 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 74 A
漏源电阻 6.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 90 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 22 ns
上升时间 34 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 52 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 161.193 mg
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注
NVMFD6H840NLT1G
型号：NVMFD6H840NLT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥37.432565 |
| 10+： | ￥31.137089 |
| 100+： | ￥24.780643 |
| 500+： | ￥20.96876 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥37.43