货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.475015 | ¥1425.05 |
6000 | ¥0.413057 | ¥2478.34 |
15000 | ¥0.351098 | ¥5266.47 |
30000 | ¥0.330445 | ¥9913.35 |
75000 | ¥0.309793 | ¥23234.47 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 260 mA
漏源电阻 2.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 870 pC
耗散功率 450 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6.3 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 3.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 3.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMN63D8LV-7
型号:DMN63D8LV-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.475015 |
6000+: | ¥0.413057 |
15000+: | ¥0.351098 |
30000+: | ¥0.330445 |
75000+: | ¥0.309793 |
货期:1-2天
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