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制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 135 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 5.3 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 2.6 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 5.7 ns
高度 1.11 mm
长度 3 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF7501TRPBF SP001575316
单位重量 191.170 mg
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0IRF7501TRPBF
型号:IRF7501TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
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