
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.144081 | ¥12.14 |
| 10 | ¥9.943861 | ¥99.44 |
| 100 | ¥7.736495 | ¥773.65 |
| 500 | ¥6.557519 | ¥3278.76 |
| 1000 | ¥5.341826 | ¥5341.83 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.4 A
漏源电阻 45 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 13 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 8.5 ns
高度 1.11 mm
长度 3 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF7530TRPBF SP001572074
单位重量 191.170 mg
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0IRF7530TRPBF
型号:IRF7530TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.144081 |
| 10+: | ¥9.943861 |
| 100+: | ¥7.736495 |
| 500+: | ¥6.557519 |
| 1000+: | ¥5.341826 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.14