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数量 | 价格 | 总计 |
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10000 | ¥0.248576 | ¥2485.76 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 900 mA
漏源电阻 730 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 5.5 nC
耗散功率 580 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 123 ns
上升时间 3.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 477 ns
典型接通延迟时间 2.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN3731U-13
型号:DMN3731U-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10000+: | ¥0.248576 |
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