货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥35.432124 | ¥35.43 |
10 | ¥31.861231 | ¥318.61 |
100 | ¥25.609399 | ¥2560.94 |
500 | ¥21.040039 | ¥10520.02 |
1000 | ¥17.433159 | ¥17433.16 |
2000 | ¥16.230957 | ¥32461.91 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 3.5 mOhms, 900 uOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6.6 nC, 30.6 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.4 ns, 4.1 ns
正向跨导(Min) 42 S, 85 S
上升时间 3.6 ns, 5.6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 28 ns
典型接通延迟时间 2.4 ns, 5.6 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC0910NDI SP000998052
单位重量 101.820 mg
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0BSC0910NDIATMA1
型号:BSC0910NDIATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥35.432124 |
10+: | ¥31.861231 |
100+: | ¥25.609399 |
500+: | ¥21.040039 |
1000+: | ¥17.433159 |
2000+: | ¥16.230957 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥35.43