BSS123LT7G
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- 制造商编号：
- BSS123LT7G
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- NFET SOT23 100V 170MA 6.0
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3500 | ￥0.66289 | ￥2320.11 |
| 7000 | ￥0.593894 | ￥4157.26 |
| 10500 | ￥0.558706 | ￥5866.41 |
| 17500 | ￥0.519083 | ￥9083.95 |
| 24500 | ￥0.495524 | ￥12140.34 |
| 35000 | ￥0.472728 | ￥16545.48 |
| 87500 | ￥0.422549 | ￥36973.04 |
| 175000 | ￥0.391645 | ￥68537.88 |
| 350000 | ￥0.367167 | ￥128508.45 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSS123LT7G
制造商
ON(安森美)
商品描述
NFET SOT23 100V 170MA 6.0
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
15µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
6Ohm @ 100mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.6V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
20pF @ 25V
FET 功能
Standard
功率耗散（最大值）
225mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
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封装/外壳
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注
BSS123LT7G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、BSS123LT7G
数据手册PDF。
BSS123LT7G
型号：BSS123LT7G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3500+： | ￥0.66289 |
| 7000+： | ￥0.593894 |
| 10500+： | ￥0.558706 |
| 17500+： | ￥0.519083 |
| 24500+： | ￥0.495524 |
| 35000+： | ￥0.472728 |
| 87500+： | ￥0.422549 |
| 175000+： | ￥0.391645 |
| 350000+： | ￥0.367167 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00