货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥14.108227 | ¥14.11 |
10 | ¥11.566205 | ¥115.66 |
100 | ¥8.996219 | ¥899.62 |
500 | ¥7.625052 | ¥3812.53 |
1000 | ¥6.211434 | ¥6211.43 |
2000 | ¥5.847416 | ¥11694.83 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 4.7 A, 3.4 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF7343TRPBF SP001565516
单位重量 540 mg
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0IRF7343TRPBF
型号:IRF7343TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.108227 |
10+: | ¥11.566205 |
100+: | ¥8.996219 |
500+: | ¥7.625052 |
1000+: | ¥6.211434 |
2000+: | ¥5.847416 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.11