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SI4932DY-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI4932DY-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
渠道:
digikey

库存 :89

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 16.179479 16.18
10 14.49219 144.92
100 11.303678 1130.37
500 9.33764 4668.82
1000 7.371833 7371.83

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 8 A

漏源电阻 15 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 48 nC

耗散功率 3.2 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI4932DY-GE3

单位重量 750 mg

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SI4932DY-T1-GE3

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型号:SI4932DY-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:89 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥16.179479
10+: ¥14.49219
100+: ¥11.303678
500+: ¥9.33764
1000+: ¥7.371833

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