EPC2110
库存 ：14745
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥30.009056 | ￥30.01 |
| 10 | ￥24.965518 | ￥249.66 |
| 100 | ￥19.8665 | ￥1986.65 |
| 500 | ￥16.810115 | ￥8405.06 |
| 1000 | ￥14.263128 | ￥14263.13 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2110
制造商
EPS
商品描述
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
120V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.4A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
60mOhm @ 4A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 700µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
0.8nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
80pF @ 60V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
-
封装/外壳
Die
供应商器件封装
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注
EPC2110
型号：EPC2110
品牌：EPS
供货：锐单
库存：14745 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥30.009056 |
| 10+： | ￥24.965518 |
| 100+： | ￥19.8665 |
| 500+： | ￥16.810115 |
| 1000+： | ￥14.263128 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥30.01