SH8M41TB1
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥4.620711 | ￥11551.78 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 3.4 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 6.6 nC, 8.2 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导（Min） 3 S
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
SH8M41TB1 同类别型号
注
SH8M41TB1品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SH8M41TB1
数据手册PDF。
SH8M41TB1
型号：SH8M41TB1
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥4.620711 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00