FDMS1D2N03DSD
库存 ：3000
货期：（7~10天）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥14.703668 | ￥44111.00 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 19 A, 37 A
漏源电阻 1.2 mOhms, 4 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 800 mV, 1 V
栅极电荷 33 nC, 117 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 121.065 mg
FDMS1D2N03DSD 同类别型号
注
FDMS1D2N03DSD品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购FDMS1D2N03DSD、查询FDMS1D2N03DSD代理商；
FDMS1D2N03DSD价格批发咨询客服；这里拥有
FDMS1D2N03DSD中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到FDMS1D2N03DSD
替代型号
、FDMS1D2N03DSD
数据手册PDF。
FDMS1D2N03DSD
型号：FDMS1D2N03DSD
品牌：ON
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥14.703668 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00