货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.112038 | ¥4.11 |
10 | ¥2.865965 | ¥28.66 |
100 | ¥1.449184 | ¥144.92 |
500 | ¥1.182025 | ¥591.01 |
1000 | ¥0.877111 | ¥877.11 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 360 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 600 pC
耗散功率 310 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 11 ns, 11 ns
上升时间 2.5 ns, 2.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns, 19 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns, 2.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0DMN53D0LDW-7
型号:DMN53D0LDW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.112038 |
10+: | ¥2.865965 |
100+: | ¥1.449184 |
500+: | ¥1.182025 |
1000+: | ¥0.877111 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.11