货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥18.837535 | ¥18.84 |
10 | ¥16.826658 | ¥168.27 |
100 | ¥13.116935 | ¥1311.69 |
500 | ¥10.83609 | ¥5418.05 |
1000 | ¥8.554901 | ¥8554.90 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 3.4 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 6.6 nC, 8.2 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 3 S
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
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0SH8M41TB1
型号:SH8M41TB1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.837535 |
10+: | ¥16.826658 |
100+: | ¥13.116935 |
500+: | ¥10.83609 |
1000+: | ¥8.554901 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.84