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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标名 FastIRFet
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 64 A
漏源电阻 3.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 15 nC, 66 nC
耗散功率 31 W, 63 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15 ns, 60 ns
正向跨导(Min) 131 S, 161 S
上升时间 61 ns, 105 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 24 ns
高度 0.9 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFH4251DTRPBF SP001556236
单位重量 122.136 mg
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0IRFH4251DTRPBF
型号:IRFH4251DTRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
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