STGWA80H65DFB
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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
STGWA80H65DFB
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
包装
Tube
系列
-
零件状态
Obsolete
IGBT 类型
Trench Field Stop
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
120A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
240A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2V @ 15V, 80A
功率 - 最大值
469W
开关能量
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
414nC
25°C 时 Td（开/关）值
84ns/280ns
测试条件
400V, 80A, 10Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）
85ns
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247 Long Leads
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注
STGWA80H65DFB品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-IGBT
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替代型号
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数据手册PDF。
STGWA80H65DFB
型号：STGWA80H65DFB
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
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货期：1-2天
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