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制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 45 A
漏源电阻 3.9 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.9 V
栅极电荷 13.7 nC, 31.5 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 6 ns
正向跨导(Min) 90 S , 151 S
上升时间 18 ns, 14 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 27 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 10 ns
高度 1.5 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 161.600 mg
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0CSD87355Q5DT
型号:CSD87355Q5DT
品牌:TI
供货:锐单
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