HGTP5N120BND
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：800
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ￥9.513116 | ￥7610.49 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 2.45 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 21 A
耗散功率 167 W
集电极连续电流 21 A
集电极连续电流（Max） 21 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 250 nA
外形参数
高度 9.4 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 HGTP5N120BND_NL
单位重量 1.800 g
HGTP5N120BND 同类别型号
注
HGTP5N120BND
型号：HGTP5N120BND
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 800+： | ￥9.513116 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00